Ngày 02/12 Microchip Technology Inc. đã công bố mở rộng đáng kể danh mục giải pháp thiết bị công suất tần số vô tuyến (RF) Gallium Nitride (GaN) bằng các vi mạch MMIC và transitor rời mới trong các băng tần số lên tới 20 gigahertz (GHz).
Các thiết bị này kết hợp giữa hiệu suất nguồn cao hơn (power-added efficiency - PAE) và độ tuyến tính cao để mang lại các cấp độ mới về hiệu suất trong các ứng dụng từ các hệ thống 5G đến tác chiến điện tử, liên lạc vệ tinh, radar thương mại và quốc phòng cũng như các thiết bị đo kiểm.
Giống như tất cả các sản phẩm công suất RF GaN của Microchip, các thiết bị này được chế tạo bằng công nghệ các-bua-si-líc GaN-on-silicon với sự kết hợp tối ưu giữa mật độ và năng suất công suất lớn, cũng như hoạt động ở điện áp cao và tuổi thọ tới hơn 1 triệu giờ ở vùng nhiệt độ tiếp giáp 255 độ C.
Các sản phẩm này bao gồm GaN MMIC có tần số từ 2 đến 18 GHz, 12 đến 20 GHz và 12 đến 20 GHz với công suất đầu ra RF ở mức suy hao 3 dB (P3dB) lên tới 20 W và hiệu suất đạt tới 25%, cùng với các bộ khuếch đại GaN MMIC đế trần và đóng gói dành cho các băng tần S- và X với PAE lên tới 60%, cùng transistor di động rời có mật độ electron cao (HEMT) trong dải băng tần từ DC đến 14 GHz với công suất đầu ra P3dB RF lên tới 100W và hiệu suất tối đa 70%.
Bình luận